Diskrete Halbleiterprodukte

Zu den diskreten Halbleiterprodukten gehören einzelne Transistoren, Dioden und Thyristoren sowie kleine Arrays, die aus zwei, drei, vier oder einer anderen kleinen Anzahl ähnlicher Komponenten in einem Gehäuse bestehen. Der bekannteste und am weitesten verbreitete ist der MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor – Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor). Sie werden in der Regel zum Aufbau von Schaltkreisen mit erheblicher Spannungs- oder Strombelastung oder zur Realisierung sehr grundlegender Funktionen von Schaltkreisen verwendet.

   Herst.-Teilenr. Hersteller Basis-Produktnummer Detaillierte Beschreibung Gehäuse Betriebstemperatur
IRF540NPBF Infineon Technologies IRF540 N-Kanal 100 V 33 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IRFP4227PBF Infineon Technologies IRFP4227 N-Kanal 200 V 65 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC Stange -40°C bis 175°C (TJ)
IR2104STRPBF Infineon Technologies IR2104 Halbbrücke Gate-Treiber IC Nicht invertierend 8-SOIC Stange -40°C bis 150°C (TJ)
IRFB31N20DPBF Infineon Technologies – N-Kanal 200 V 31 A (Tc) 3,1W (Ta), 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IRFP260NPBF Infineon Technologies IRFP260 N-Kanal 200 V 50 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IRF530NPBF Infineon Technologies IRF530 N-Kanal 100 V 17 A (Tc) 70W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IRF640NPBF Infineon Technologies IRF640 N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IRF1404PBF Infineon Technologies IRF1404 N-Kanal 40 V 202 A (Tc) 333W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IRF9389TRPBF Infineon Technologies IRF9389  MOSFETs – Arrays 30V 6,8 A, 4,6 A 2W Oberflächenmontage 8-SO Stange -55°C bis 150°C (TJ)
IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies IRLS3034 N-Kanal 40 V 240 A (Tc) 380W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK (7-Lead) Stange –
IRFP360PBF Infineon Technologies IRFP360 N-Kanal 400 V 23 A (Tc) 280W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC Stange -55°C bis 150°C (TJ)
IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies IRFR9024 P-Kanal 55 V 11 A (Tc) 38W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak Stange -55°C bis 150°C (TJ)
IRFR2405TRPBF Infineon Technologies IRFR2405 N-Kanal 55 V 56 A (Tc) 110W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IRFP4310ZPBF Infineon Technologies IRFP4310 N-Kanal 100 V 120 A (Tc) 280W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IPD60N10S4L12 Infineon Technologies IPD60N10 N-Kanal 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3-313 Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IRFZ44NPBF Infineon Technologies IRFZ44 N-Kanal 55 V 49 A (Tc) 94W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IRFR5305TRPBF Infineon Technologies IRFR5305 P-Kanal 55 V 31 A (Tc) 110W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -55°C bis 175°C (TJ)
IRFR220NTRPBF Infineon Technologies IRFR220 N-Kanal 200 V 5 A (Tc) 43W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -55°C bis 175°C (TJ)
IRF4905PBF Infineon Technologies IRF4905 P-Kanal 55 V 74 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IRF5210PBF Infineon Technologies IRF5210 P-Kanal 100 V 40 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IRF9540NPBF Infineon Technologies IRF9540 P-Kanal 100 V 23 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB Stange -55°C bis 150°C (TJ)
IRFP9240PBF Infineon Technologies IRFP9240 P-Kanal 200 V 12 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC Stange -55°C bis 150°C (TJ)
BFP196WH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP196 HF-Transistor NPN 12V 150mA 7,5GHz 700mW Oberflächenmontage PG-SOT343-4-1 Stange 150°C (TJ)
IRFR024NTRPBF Infineon Technologies IRFR024 N-Kanal 55 V 17 A (Tc) 45W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -55°C bis 175°C (TJ)
IR2101STRPBF Infineon Technologies IR2101 Halbbrücke Gate-Treiber IC Nicht invertierend 8-SOIC Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -40°C bis 150°C (TJ)
IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies IRFS3607 N-Kanal 75 V 80 A (Tc) 140W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -55°C bis 175°C (TJ)
IRF5210STRLPBF Infineon Technologies IRF5210 P-Kanal 100 V 38 A (Tc) 3,1W (Ta), 170W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -55°C bis 150°C (TJ)
IRS2092STRPBF Infineon Technologies IRS2092 Verstärker IC 1 Kanal (Mono) Klasse D 16-SOIC Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -40°C bis 125°C (TA)
IRFB4615PBF Infineon Technologies IRFB4615 N-Kanal 150 V 35 A (Tc) 144W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -55°C bis 175°C (TJ)
IRFB4620PBF Infineon Technologies IRFB4620 N-Kanal 200 V 25 A (Tc) 144W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -55°C bis 175°C (TJ)
BSP318SH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP318 N-Kanal 60 V 2,6 A (Tj) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4 Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -55°C bis 150°C (TJ)
TLE8108EM Infineon Technologies TLE8108 Schalter/Treiber 1:2 N-Kanal 400mA PG-SSOP-24 Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -40°C bis 150°C (TJ)
IRF9Z24NPBF Infineon Technologies IRF9Z24 P-Kanal 55 V 12 A (Tc) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB Stange -55°C bis 175°C (TJ)
IRFH8318TRPBF Infineon Technologies IRFH8318 N-Kanal 30 V 27 A (Ta), 120 A (Tc) 3,6W (Ta), 59W (Tc) Oberflächenmontage PQFN (5×6) Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -55°C bis 150°C (TJ)
IRFR6215TRPBF Infineon Technologies IRFR6215 P-Kanal 150 V 13 A (Tc) 110W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) -55°C bis 175°C (TJ)

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