BSC117N08NS5ATMA1
Produkteigenschaften
TYP | BESCHREIBUNG |
|---|---|
Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs |
| Herst. | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Gehäuse | Gurt auf Rolle (Tape and Reel – TR) Gurtabschnitt (CT) |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
| Strom – Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 49 A (Tc) |
| Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 6V, 10V |
| Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 11,7mOhm bei 25A, 10V |
| Vgs(th) (max.) bei Id | 3,8V bei 22µA |
| Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1300 pF @ 40 V |
| Verlustleistung (max.) | 2,5W (Ta), 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Oberflächenmontage |
| Gehäuse / Hülle | 8-PowerTDFN |
| Basis-Produktnummer | BSC117 |
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