FRAM (Ferroelectric Random Access Memory oder FeRAM) ist ein eigenständiger nichtflüchtiger Speicher, der es Ihnen ermöglicht, kritische Daten sofort zu erfassen und zu speichern, wenn die Stromversorgung unterbrochen wird. Sie eignen sich ideal für unternehmenskritische Datenprotokollierungsanwendungen wie speicherprogrammierbare Hochleistungssteuerungen (PLC), die eine hohe Zuverlässigkeit bei Steuerung und Durchsatz erfordern, oder lebensverlängernde Patientenüberwachungsgeräte. F-RAMs sind mit geringem Stromverbrauch und geringem Platzbedarf konzipiert und bieten sofortige Nichtflüchtigkeit und praktisch unbegrenzte Lebensdauer, ohne Kompromisse bei Geschwindigkeit oder Energieeffizienz einzugehen.

Die energieeffizientesten, zuverlässigsten Datenaufzeichnungsspeicher mit hoher Dichte.

EXCELON™, der ferroelektrische RAM (F-RAM)-Speicher der nächsten Generation von Infineon, bietet den geschäftskritischen nichtflüchtigen Speicher mit dem niedrigsten Stromverbrauch der Branche, indem er einen extrem stromsparenden Betrieb mit Hochgeschwindigkeitsschnittstellen, sofortiger Nichtflüchtigkeit und unbegrenztem Lese-/Schreibzyklus kombiniert Ausdauer. Dies macht EXCELON™ zum idealen Datenprotokollierungsspeicher für tragbare medizinische, tragbare, IoT-Sensor-, Industrie- und Automobilanwendungen.

Hauptmerkmale

NoDelay™ Write – Schreibt Daten mit Busgeschwindigkeit ohne Haltezeit in Speicherzellen

Hohe Lebensdauer – Überdauert Floating-Gate-Speicher mit über 100 Billionen Schreibzyklen

Ultra Low Power – Verbraucht 200x weniger Energie als EEPROMs und 3.000x weniger als NOR Flash

Strahlungstolerant – Immun gegenüber weichen Fehlern, die durch Strahlung verursacht werden, die Bit-Flips erzeugen kann.

Infineon bietet ein umfassendes Portfolio an seriellen und parallelen nichtflüchtigen F-RAM-Speichern. Unsere Standard-F-RAMs sind in Dichten von 4 kbit bis 4 Mbit erhältlich. Excelon™ ist die nächste Generation von FRAM-Speichern von Infineon. Excelon™ F-RAM bietet den branchenweit stromsparendsten nichtflüchtigen Speicher, indem es einen extrem stromsparenden Betrieb mit Hochgeschwindigkeitsschnittstellen, sofortiger Nichtflüchtigkeit und unbegrenzter Lebensdauer von Lese-/Schreibzyklen kombiniert, was es zum idealen Datenprotokollierungsspeicher für tragbare medizinische Wearables macht , IoT-Sensor, Industrie- und Automobilanwendungen. Sie sind in Dichten von 2 Mbit bis 16 Mbit erhältlich und unterstützen einen Betriebsspannungsbereich von 1,71 V bis 1,89 V zusätzlich zum Weitspannungsbereich von 1,8 V bis 3,6 V.

F-RAM-Speicher basieren auf ferroelektrischer Technologie. Der F-RAM-Chip enthält einen dünnen ferroelektrischen Film aus Blei-Zirkonat-Titanat, allgemein als PZT bezeichnet. Die Atome im PZT ändern ihre Polarität in einem elektrischen Feld, wodurch ein energieeffizienter binärer Schalter entsteht. Der wichtigste Aspekt des PZT ist jedoch, dass es nicht durch Stromunterbrechungen beeinträchtigt wird, was F-RAM zu einem zuverlässigen nichtflüchtigen Speicher macht. Das zugrunde liegende Funktionsprinzip des F-RAM und seine einzigartige Speicherzellenarchitektur verleihen spezifische Vorteile, die die Technologie von konkurrierenden Speichertechnologien wie EEPROM oder NOR-Flash unterscheidet.