IGBTs von Starpower Semiconductor: Die treibende Kraft für eine effiziente Entwicklung der Photovoltaik-Industrie

Mit der Förderung der globalen Energiewende und der Strategie der nachhaltigen Entwicklung läutet die photovoltaische Stromerzeugung als ein wichtiger Teil der sauberen Energie eine goldene Periode der kräftigen Entwicklung ein. In diesem Zusammenhang wird die Bedeutung von IGBT-Halbleitern als Kernstück von PV-Wechselrichtern immer deutlicher. Dieser Artikel nimmt die IGBT-Produkte von Starpower Semiconductor in Photovoltaik-Wechselrichtern als Ausgangspunkt, um die Aussichten des Photovoltaik-Marktes und die Bedeutung der Entwicklung zu erörtern und Starpower Semiconductor auf dem Gebiet der Leistungshalbleiterauslegung und -entwicklung vorzustellen.

Weitreichende Aussichten für den Photovoltaikmarkt

Die Photovoltaik-Industrie befindet sich in einer rasanten Wachstumsphase, die Marktaussichten sind sehr breit. In den letzten Jahren ist die weltweit installierte Kapazität der Photovoltaik weiterhin schnell gewachsen. Nach der Prognose der Internationalen Agentur für Erneuerbare Energien (IRENA) wird die kumulierte installierte Leistung der Photovoltaik bis 2030 weltweit 3.000 GW erreichen, was einer Steigerung um fast das Dreifache im Vergleich zu 2020 entspricht. Die Entwicklung der Photovoltaikindustrie ist von großer Bedeutung für die Optimierung der Energiestruktur, die Bewältigung des Klimawandels und die Förderung einer nachhaltigen wirtschaftlichen Entwicklung. Als saubere und erneuerbare Energiequelle kann die PV-Stromerzeugung die Treibhausgasemissionen wirksam reduzieren und die Umwelt entlasten.

Synergistische Entwicklung von Photovoltaik und Energiespeicherung

Die Kombination von Photovoltaik und Energiespeichertechnologie ist ein neuer Trend in der Branche. Durch die Kombination von photovoltaischer Stromerzeugung und Energiespeicherung kann das Problem der Schwankungen und Instabilität der photovoltaischen Stromerzeugung wirksam gelöst werden. Bloomberg New Energy Finance (BNEF) prognostiziert, dass bis 2030 die weltweit installierte Kapazität von Photovoltaik- und Speichersystemen 1.028 GW erreichen wird. Dieses synergetische Modell verbessert nicht nur die Effizienz der Photovoltaik-Stromerzeugung, sondern sorgt auch für eine stabilere Stromversorgung des Netzes, was die großflächige Anwendung neuer Energien weiter fördert.

Starpower Semiconductor IGBT-Produkte in der Anwendung von Photovoltaik-Wechselrichtern

In einem photovoltaischen Stromerzeugungssystem ist der Wechselrichter die Schlüsselausrüstung, die die Solarmodule mit dem Stromnetz verbindet, und der IGBT als Kernstück des Wechselrichters spielt dabei eine entscheidende Rolle. Als führender IGBT-Lieferant in China sind die Produkte von Starpower Semiconductor im Bereich der PV-Wechselrichter weit verbreitet. Starpower Semiconductor verfügt über mehr als 600 Typen von IGBT-Modulen mit Spannungen von 100V bis 3300V und Stromstärken von 10A bis 3600A. Die in PV-Wechselrichtern eingesetzten IGBT-Module haben hauptsächlich die folgenden Eigenschaften.

1. hoher Wirkungsgrad: Die fortschrittliche Trench-Field-Stop-Technologie mit niedrigen Leitungsverlusten und geringen Schaltverlusten kann den Wirkungsgrad des Wechselrichters erheblich verbessern. Die Trench-Field-Stop-Technologie reduziert den Einschaltwiderstand durch die Bildung einer Grabenstruktur auf der Chip-Oberfläche und führt eine Feldsperrschicht auf der Rückseite des Chips ein, die den Ausschaltverlust reduziert und so die hocheffizienten Schalteigenschaften realisiert. Schalteigenschaften.

2. hohe Zuverlässigkeit: Die Produkte wurden strengen Qualitätskontrollen und Zuverlässigkeitstests unterzogen und können in rauen Umgebungen lange Zeit stabil arbeiten und erfüllen die hohen Zuverlässigkeitsanforderungen von photovoltaischen Stromerzeugungssystemen.

3. breiter Anwendungsbereich: IGBT-Module mit entsprechenden Spezifikationen können für PV-Wechselrichter verschiedener Leistungsstufen ausgewählt werden, um eine optimale Anpassung zu erreichen.

1. Intelligenter Schutz: Eingebaute Überstrom-, Übertemperatur- und andere Schutzfunktionen zur Verbesserung der Sicherheit und Zuverlässigkeit des Systems.

Layout von Starpower Semiconductor auf dem Gebiet der Leistungshalbleiter

Neben der dominanten Position im Bereich der IGBTs entwickelt Starr Semi-Conductor auch aktiv SiC- und andere neue Leistungshalbleitertechnologien, um der zukünftigen Marktnachfrage gerecht zu werden.

1.  IGBT-Technologie wird weiter aufgerüstet: Das Unternehmen setzt seine Bemühungen in der Chip-F&E fort und entwickelt die siebte Generation der Mikrokanal-Trench-Field-Stop-Technologie auf der Grundlage der IGBT-Chip-Produktserie weiter.

2.  SiC-MOSFET-Forschung und -Entwicklung: Das Unternehmen hat seine Investitionen in die Entwicklung von SiC-Leistungschips erhöht und seine eigenen SiC-Chips für die Automobilindustrie auf den Markt gebracht, um der Marktnachfrage gerecht zu werden.

3. die Entwicklung von Hochspannungs-IGBTs: Auf der Grundlage der sechsten Generation der Fieldstop-Trench-Chip-Plattform entwickelt das Unternehmen Hochspannungs-IGBTs für 3300 V bis 6500 V, die im Schienenverkehr und in der Stromübertragung eingesetzt werden.

4. Kapazitätserweiterung: Durch den Aufbau von Fundraising-Projekten wird das Unternehmen voraussichtlich eine jährliche Produktionskapazität von 300.000 Stück 6-Zoll-Hochspannungs-Leistungschips und 60.000 Stück 6-Zoll-SiC-Chips erreichen und eine jährliche Produktionskapazität von 4 Millionen Leistungshalbleitermodulen aufbauen.

Herausforderungen der Branche und Gegenmaßnahmen

Obwohl die PV-Industrie eine vielversprechende Zukunft hat, steht sie auch vor einigen Herausforderungen, wie z.B. Schwankungen der Rohstoffpreise und politischen Veränderungen. Um diesen Herausforderungen zu begegnen, hat Starr Semiconductor die folgenden Gegenmaßnahmen ergriffen.

1. verstärktes Management der Lieferkette, Aufbau einer langfristigen strategischen Zusammenarbeit mit Vorlieferanten, um das Risiko von Rohstoffpreisschwankungen zu reduzieren. 

2. kontinuierliche technologische Innovation, Verbesserung der Produktleistung, Kostensenkung und Steigerung der Wettbewerbsfähigkeit.

3. auf Veränderungen in der Politik zu achten, aktiv an der Entwicklung von Industriestandards teilzunehmen und die aufstrebenden Märkte im Voraus zu planen.

Fazit

Mit der boomenden Entwicklung der Photovoltaik-Industrie wird die Nachfrage nach leistungsstarken IGBTs und anderen Leistungshalbleitern weiter steigen. Mit der technischen Akkumulation und den Marktvorteilen im IGBT-Bereich baut Starpower Semiconductor aktiv die gesamte industrielle Kette auf und bringt kontinuierlich neue Produkte auf den Markt, um der Marktnachfrage gerecht zu werden. In Zukunft wird sich die Photovoltaik-Industrie in Richtung höherer Effizienz, intelligenter und integrierter entwickeln. Auch die Leistungshalbleitertechnologie wird sich in Richtung höherer Leistungsdichte und geringerer Verluste entwickeln. 

Starpower Semiconductor wird sich weiterhin auf die technologische Innovation im Bereich der Leistungshalbleiter konzentrieren, die Investitionen in die Forschung und Entwicklung von Halbleitermaterialien der dritten Generation erhöhen und danach streben, in den nächsten 5-10 Jahren der weltweit führende Anbieter von Leistungshalbleiterlösungen zu werden, um einen größeren Beitrag zur Entwicklung neuer Energiebranchen wie der Photovoltaik zu leisten.

UCC INDU GmbH, als autorisierter Distributor von Starpower Semiconductors, hat es sich zur Aufgabe gemacht, Kunden weltweit mit qualitativ hochwertigen Leistungsmodulen von Starpower Semiconductors zu versorgen und die Entwicklung der Photovoltaik-Industrie zu fördern. Wir freuen uns, wenn Sie sich mit uns in Verbindung setzen, um mehr über die Produkte von Starpower Semiconductors zu erfahren. Wir werden Ihnen den besten Service bieten. Sie können auch unsere Website besuchen, um mehr über unsere Produkte zu erfahren.

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