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Starpower

Seit der Gründung im Jahr 2005 spezialisiert sich Starpower Halbleiter AG auf das Design, die Entwicklung, die Produktion und den Vertrieb von Leistungshalbleiterchips und -modulen, die hauptsächlich auf der Grundlage von IGBT hergestellt werden, und ist gegenwärtig ein führendes Unternehmen auf dem Gebiet der Leistungshalbleiter in China. Die Produkte des Unternehmens wurden erfolgreich in den Bereichen wie neuen Energiefahrzeugen, Wechselrichtern, Inverterschweißgeräten, UPS, Photovoltaik/Wind

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Nachrichten

IGBTs von Starpower Semiconductor: Die treibende Kraft für eine effiziente Entwicklung der Photovoltaik-Industrie

2024-10-18

Mit der Förderung der globalen Energiewende und der Strategie der nachhaltigen Entwicklung läutet die photovoltaische Stromerzeugung als ein wichtiger Teil der sauberen Energie eine goldene Periode der kräftigen Entwicklung ein. In diesem Zusammenhang wird die Bedeutung von IGBT-Halbleitern als Kernstück von PV-Wechselrichtern immer deutlicher. Dieser Artikel nimmt die IGBT-Produkte von Starpower Semiconductor in Photovoltaik-Wechselrichtern als Ausgangspunkt, um die Aussichten des Photovoltaik-Marktes und die Bedeutung der Entwicklung zu erörtern und Starpower Semiconductor auf dem Gebiet der Leistungshalbleiterauslegung und -entwicklung vorzustellen.
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UCC INDU GmbH wird autorisierter STARPOWER-Distributor

2024-10-14

Wir freuen uns, Ihnen mitteilen zu können, dass die UCC INDU GmbH eine Partnerschaft mit StarPower Semiconductor Ltd. eingegangen ist und offiziell ein autorisierter Distributor von STARPOWER geworden ist. Diese Zusammenarbeit wird unseren Kunden eine größere Auswahl an qualitativ hochwertigen Leistungshalbleiterprodukten bieten.
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GD100HFY120C1S IGBT-Modul: eine effiziente Lösung für fortschrittliche Leistungselektronik

2024-09-11

​Im Bereich der modernen Leistungselektronik sind IGBT-Module (Insulated Gate Bipolar Transistor) aufgrund ihrer hohen Leistung und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von Hochleistungsgeräten weit verbreitet. Das GD100HFY120C1S ist ein von Starpower auf den Markt gebrachtes IGBT-Hochleistungsmodul, das auf die Anforderungen von Elektrofahrzeugen, industriellen Motorsteuerungen, erneuerbaren Energien und anderen Bereichen zugeschnitten ist.
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Empfohlen von Star Semiconductor - P6 SiC MOSFET: Gebaut für effiziente Energieumwandlung

2024-08-09

Das P6 SiC MOSFET-Leistungsmodul ist ein von Star Semiconductor eingeführtes Hochleistungs-Leistungsmodul, das in einer Reihe von Bereichen, insbesondere in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen, industrieller Leistungselektronik und erneuerbaren Energiequellen, eine hervorragende Leistung mit breiter Anwendbarkeit gezeigt hat.
  • Nachrichten

Starpower IGBT-Module: effiziente und stabile Stromversorgungslösungen für USV-Systeme

2024-06-16

In der heutigen technologiegetriebenen Welt sind unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) der Grundstein für den kontinuierlichen Betrieb kritischer Geräte. Mit dem innovativen IGBT-Modul GD7
  • Hersteller-Nachrichten

Hocheffiziente Leistungsumwandlung: Starr Semiconductor 600V/50A IGBT mit Diode

2024-06-02

Der DG50X06T2 von Starr Semiconductor ist ein IGBT-Modul, das für hocheffiziente Leistungsumwandlungsanwendungen entwickelt wurde.
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Burson-Marsteller NOR Flash BY25Q64ASSIG in Eingebetteten Systemen

2024-11-21

Als führender Distributor von elektronischen Komponenten ist die UCC INDU GmbH bestrebt, ihren Kunden qualitativ hochwertige Produkte und Lösungen zu bieten. Der NOR Flash BY25Q64ASSIG von Burson-Marsteller ist ein qualitativ hochwertiger Speicherchip, den wir unseren Embedded System Kunden aufgrund seiner hervorragenden Leistung und Zuverlässigkeit empfehlen.
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URB1D12LD-20WR3: Isolierter DC-DC-Wandler mit hoher Leistung

2024-11-20

Der URB1D12LD-20WR3 ist ein leistungsstarker isolierter DC-DC-Wandler, der für eine Vielzahl von Industrie- und Kommunikationsanwendungen entwickelt wurde. Dieses Produkt verfügt über mehrere hervorragende Eigenschaften, die es ideal für viele Anwendungsszenarien machen.
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